Bodite
11,99€
na leto
Številka: 53852095
Samsung 9100 PRO HeatSink SSD disk, 8TB, M.2, PCI-e 5.0, NVMe 2.0, V-NAND, 80mm (MZ-VAP8T0CW)

Samsung 9100 PRO HeatSink SSD disk, 8TB, M.2, PCI-e 5.0, NVMe 2.0, V-NAND, 80mm (MZ-VAP8T0CW)

Samsung 9100 Pro Heat Sink je visoko zmogljiv M.2 NVMe SSD pogon s kapaciteto 8 TB in PCIe 5,0 x4 vmesnikom. Dosega izjemne hitrosti sekvenčnega branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s, kar ga dela idealnega za zahtevne uporabnike. Opremljen je tudi z učinkovitim hladilnikom za optimalno delovanje. Celoten opis
Trenutno ni na zalogi.
1.585,99 €
Dostava Mimovrste
1.585,99 €
Drugi prodajalci od 2.199,99 €

Predstavitev

Visoko zmogljiv SSD pogon

Samsung 9100 Pro Heat Sink je izjemno zmogljiv M.2 NVMe SSD pogon z zmogljivostjo 8 TB. Uporablja PCIe 5,0 x4 vodilo in NVMe 2,0 tehnologijo, kar zagotavlja vrhunske hitrosti prenosa podatkov.

Z njim boste dosegli sekvenčne hitrosti branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s. To omogoča do 2× hitrejše prenose in kopiranje velikih datotek v primerjavi s prejšnjimi generacijami, kar je idealno za profesionalno uporabo in igranje iger.

Visoko zmogljiv SSD pogon

Optimalno hlajenje in široka združljivost

Optimalno hlajenje in široka združljivost

Pogon je opremljen z učinkovitim hladilnikom, ki zagotavlja optimalno odvajanje toplote tudi med dolgotrajnimi in intenzivnimi obremenitvami. To preprečuje upočasnitve in zagotavlja konsistentno visoko zmogljivost, kar je ključno za stabilno delovanje.

S 5 nm kontrolerjem je pogon 49 % učinkovitejši pri porabi energije kot prejšnji modeli. Njegova široka združljivost omogoča uporabo tako v prenosnikih kot v stacionarnih računalnikih, kar ga dela vsestranskega za različne potrebe, vključno z video produkcijo in oblikovanjem.


Glavne lastnosti

  • Kapaciteta: 8 TB
  • Vodilom: PCIe 5,0 x4, NVMe 2,0
  • Hitrost sekvenčnega branja: do 14.800 MB/s
  • Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.400 MB/s
  • Vgrajen hladilnik za odvajanje toplote
  • Tehnologija: Samsung V-NAND TLC
  • Predpomnilnik: 8 GB LPDDR4X

Tehnične podrobnosti

Vodilom PCIe 5,0 x4, NVMe 2,0
Oblika M.2 2280
NAND Samsung V-NAND TLC
Kontroler Samsung
Hlajenje hladilne reže
Cache pomnilnik 8 GB LPDDR4X
Kapaciteta 8 TB
Hitrost sekvenčnega branja 14.800 MB/s
Hitrost sekvenčnega pisanja 13.400 MB/s
Hitrost naključnega branja (IOPS) 2.200.000
Hitrost naključnega pisanja (IOPS) 2.600.000
Napajanje (aktivno) 10,5 W / 8,8 W
Napajanje (mirovanje) 9,3 mW / 8,6 mW
Tehnologija Inteligentni Turbo Write 2.0
Enkripcija podatkov Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE 1667)
MTBF 1.500.000 h

Garancija: 5 let

(Opis ustvarjen s pomočjo metod umetne inteligence.)